隨著系統(tǒng)復(fù)雜度的不斷提高,傳統(tǒng)封裝技術(shù)已不能滿足多芯片、多器件的高性能互聯(lián)。而三維系統(tǒng)級封裝(3D-system in package, 3D-SiP)通過多層堆疊和立體互聯(lián)實現(xiàn)了芯片和器件的高性能集成。其中,硅通孔(Through silicon via, TSV)結(jié)構(gòu)在3D-SiP 中發(fā)揮著極為關(guān)鍵的作用。系統(tǒng)性的回顧了 TSV 技術(shù)的研究進(jìn)展,包括TSV 的技術(shù)背景、生產(chǎn)制造、鍵合工藝和應(yīng)用特色,同時對比并總結(jié)了不同制造工藝和鍵合工藝的優(yōu)缺點,如制造工藝中的刻蝕、激光鉆孔、沉積薄膜和金屬填充,鍵合工藝中的焊錫凸點制備、銅柱凸點制備和混合鍵合,討論了 TSV 當(dāng)前面臨